鎂合金作為目前質(zhì)量最輕的金屬結(jié)構(gòu)材料，由于鎂合金同時(shí)具有比強(qiáng)度高,彈性模量大，消震性好，承受沖擊載荷能力大，電磁屏蔽性能優(yōu)異，耐有機(jī)物和堿的腐蝕性能好等優(yōu)點(diǎn)，被稱為21世紀(jì)的綠色環(huán)保結(jié)構(gòu)材料。鎂合金非常優(yōu)良的應(yīng)用性能,引起了國內(nèi)外研究者及工業(yè)廠商的廣泛關(guān)注，成為材料研究、開發(fā)的熱門領(lǐng)域。同時(shí)鎂是地球上儲量最豐富的輕金屬元素之一，鎂合金以其優(yōu)異的性能和豐富的資源，成為目前交通運(yùn)輸和航空航行業(yè)進(jìn)行輕量化技術(shù)改造最有前景的金屬材料，也成為目前3C產(chǎn)業(yè)的理想材料之一。

改良西門子法采用氫還原三氯氫硅的方式生產(chǎn)多晶硅。三氯氫硅還原在超低碳的不銹鋼或鎳基合金制成的水冷爐壁還原爐內(nèi)，用氫將三氯氫硅還原成硅。爐內(nèi)有不透明的石英鐘罩和用細(xì)硅芯或鉭管制成的發(fā)熱體。細(xì)硅芯是用超純硅在特制的硅芯爐內(nèi)制成。在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積之前，由于硅在常溫時(shí)電阻率很高，因此硅芯必須在石英罩外用電阻加熱至300℃或用幾千伏的高壓電啟動。經(jīng)過提純的氫氣在揮發(fā)器將三氯氫硅自爐底帶入爐內(nèi)，于1100℃左右進(jìn)行還原反應(yīng)，使硅沉積在發(fā)熱體上。由于諸多原因使硅的沉積速度較慢，一般不超過0.5mm/h，生產(chǎn)直徑為150～200mm的多晶硅棒需要一周乃至更多時(shí)間。

基于上述工藝可知，多晶硅生產(chǎn)首先需要啟動，然后再進(jìn)行還原生長。目前從行業(yè)實(shí)際應(yīng)用情況來看，還原生長方法的差異主要在于電氣技術(shù)上，而還原啟動方法的差異較大：由于硅在常溫時(shí)電阻率很高，不易導(dǎo)通，業(yè)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)廠家常采用①石墨加熱、②等離子加熱、③鹵素?zé)艏訜岬韧饧訜岱绞?，將還原爐爐溫加熱至300℃左右，還原電源輸出中壓，使硅芯導(dǎo)通，完成啟動過程，然后繼續(xù)加熱進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，完成還原生長。但以上啟動方案或多或少存在：操作麻煩、起動時(shí)間長、效率低、啟動成功率低、影響硅純度、還原設(shè)備復(fù)雜等弊端。因此也有部分多晶硅生產(chǎn)廠家采用幾千伏的高壓電啟動方式，由于是讓硅棒自身發(fā)熱，從而使其發(fā)熱內(nèi)外上下均勻、快速，同時(shí)可有效解決或緩解上述弊端：縮短啟動時(shí)間、提高啟動效率和成功率、減小還原電氣設(shè)備復(fù)雜程度。因此，高壓啟動方式具先天優(yōu)勢，對于高品質(zhì)的多晶生產(chǎn)是目前的一種最優(yōu)選擇。
廣大的多晶制造企業(yè)對各種啟動方式的電氣設(shè)備和還原設(shè)備，并不十分熟悉，而且繁雜的方法和設(shè)備也給大家?guī)砹瞬簧倮Щ螅翰恢栏鞣N設(shè)備的可靠性、先進(jìn)性、成熟性、各子系統(tǒng)的相互匹配性以及如何搭配等等。這樣一來，對于能提供一體化解決方案的需求變得愈發(fā)重要，畢竟多晶項(xiàng)目的設(shè)備是相當(dāng)重要而且投入也是非常巨大的。成功開發(fā)出單晶硅電源、多晶硅鑄錠電源的同時(shí)，積極探索多晶硅還原爐電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)，于2018年底成功推出多晶硅還原爐電源系統(tǒng)的一體化解決方案。該方案的核心部份由高壓啟動電源和還原電源組成，輔以切換柜、隔離柜、接地柜及上位DCS系統(tǒng)組成了整個(gè)電源系統(tǒng)，能夠成功完成多晶硅從啟動到還原生長的所有工藝控制過程。
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